ТРАНЗИСТОР IRF510N

00-00002956
45,00
руб
Характеристики:

  • Тип полупроводникового прибора: транзистор полевой/силовой МОП-транзистор/power MOSFET.
  • Структура: N-канальный.
  • Максимальное напряжение сток-исток: 100В.
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20В.
  • Максимальный ток стока: 5,6А.
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): при VGS = 3,4А/10В - 0,54Ом.
  • Общий заряд затвора (Qg): 8,3нКл.
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 43Вт.
  • Входная ёмкость: 180пФ.
  • Температурный диапазон: от -55 до +175°C.
  • Температурный коэффициент сопротивления (Rjc): 3,5°C/Вт
  • Корпус: TO-220AB (SOT-78).
  • Выводы: затвор, сток, исток (слева направо).
  • Материал выводов и контактов: Cu (медь).
  • Покрытие выводов или контактов: Ni (никель).
  • Материал корпуса: пластик.
  • Метод монтажа: сквозной.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Габаритные размеры (ДхШхВ): 10,2х4,7х15,7мм.
  • Масса: не более 2,5г.